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封装芯片及加工方法与流程

发布时间:2023-03-21 06:19浏览次数:

  1.本技术属于芯片加工技术领域,具体地,本技术涉及一种封装芯片及加工方法。

  2.spt工艺是利用磁控溅镀技术将金属粒子溅镀在产品表面形成溅镀层。在封装芯片加工工艺中,一种工艺是pre-tape,也即在单体底部贴附预贴膜,使得产品高出基膜,然后对单体的侧壁全部进行溅镀,在单体的表面形成金属溅镀层,从而得到封装芯片。

  3.采用该工艺加工可以使单体的侧壁完全暴露于溅镀腔体中,同时,由于预贴膜与单体之间有分界面,该位置会成为溅镀层分离时的断裂面,减少溅镀层边缘不均匀。

  4.但是,采用pre-tape工艺在切割之前需要在基板上贴附预贴膜,切割时需要将基板及上面覆盖的预贴膜一同切割,而预贴膜由于具有较好的延展性,在切割过程中会产生许多胶丝,导致切割道无法看清。

  6.根据本技术实施例的第一方面,提供了一种封装芯片的加工方法,所述方法包括:

  8.将所述预贴膜贴附于所述基板的一侧表面;其中,所述预贴膜包括uv胶层,所述预贴膜与所述基板之间具有第一粘接度;

  9.对所述预贴膜进行固化处理,以使所述预贴膜与所述基板之间形成第二粘接度;其中,所述第二粘接度小于所述第一粘接度;

  13.可选地,所述预贴膜还包括保护层,所述保护层设于所述uv胶层背离所述基板的一侧表面;

  14.所述方法还包括:在对所述基板进行切割之前,将所述保护层从所述uv胶层上进行剥离。

  19.可选地,在所述对贴附所述预贴膜的基板进行切割处理的步骤中,采用冷却水对贴附所述预贴膜的基板进行降温,冷却水的温度小于15℃。

  20.可选地,在所述对贴附所述预贴膜的基板进行切割处理的步骤中,采用金属刀对基板及预贴膜进行切割。

  21.根据本技术实施例的第二方面,还提供了一种封装芯片,采用第一方面的加工方法制备而成。

  22.可选地,所述封装芯片包括基板单体,以及设置于所述基板单体表面的金属溅镀层。

  24.通过设置uv胶层,将预贴膜牢固贴附于基板表面后,再通过固化处理,使得uv胶层发生固化,显著降低uv胶层的延展性,从而减少后续切割过程中产生的胶丝数量,降低胶丝对切割视野的影响,提高切割效率,保证切割效果,进而保证封装芯片加工过程的效率。

  25.通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述,本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。

  26.被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例,并且连同其说明一起用于解释本技术的原理。

  30.1、基板;2、预贴膜;3、基板单体;4、金属溅镀层;5、封装芯片。

  31.现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。

  32.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。

  33.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

  34.在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

  35.应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

  36.参照图1-图2,本技术公开了一种封装芯片的加工方法,所述加工方法包括:

  37.s1,提供基板1以及预贴膜2,将所述预贴膜2贴附于所述基板1的一侧表面;其中,所述预贴膜2包括uv胶层,所述预贴膜2与所述基板1之间具有第一粘接度;

  38.s2,对所述预贴膜2进行固化处理,以使所述预贴膜2与所述基板1之间形成第二粘接度;其中,所述第二粘接度小于所述第一粘接度;

  39.s3,对贴附所述预贴膜2的基板1进行切割处理,得到设定尺寸的基板单体3;

  42.步骤s1中,采用贴膜机,将预贴膜2贴附在基板1的一侧表面,预贴膜2包括uv胶层,预贴膜2通过uv胶层与基板1紧密贴合,此时二者之间具有第一粘结度。当然,也可以采用人工贴膜方式,本技术对将预贴膜2贴附于基板1的一侧表面的的方式不作限定。

  43.需要说明的是,本技术实施例中,s1中的预贴膜2包括uv胶层,预贴膜2通过粘贴的方式设置在基板1的表面。通过采用涂覆方式在基板1表面设置一层uv胶,采用涂覆方式在产品表面形成的uv胶层不均匀,会导致切割过程视野模糊,无法看清切割道,机台难以识别基板1上的标记点,从而难以进行切割作业,导致切割效率降低,切割效果较差。

  44.本技术中采用的在基板1表面贴附uv胶层的方式,便于控制uv胶层的厚度,有利于实现uv胶层在基板1表面的均匀覆盖,从而有利于提高封装芯片5加工过程中的切割效率,提升切割效果。

  45.步骤s2中,对预贴膜2进行固化处理。具体地,可以将贴附有预贴膜2的基板1放入uv机中进行固化,也可以采用其他方式进行,本技术对固化处理不作限定,只需要实现uv胶层发生固化即可。uv胶层的固化标准可以根据实际需要进行限定。例如,固化处理后的uv胶层,固化率大于96%。

  46.其中,初始状态下,将预贴膜2贴附在基板1的一侧表面,在初始状态下,预贴膜2的uv胶层与基板1之间形成第一粘结度。然后步骤s2中,将贴附有预贴膜2的基板1放入uv机中进行固化,使uv胶层发生固化,此时预贴膜2的uv胶层与基板1之间形成第二粘结度,而第二粘结度小于第一粘结度,也即uv胶层的粘结度降低。

  47.步骤3中,采用切割设备,按照基板1上预先设定的切割标记点,对贴附预贴膜2的基板1进行切割处理,得到设定尺寸的基板单体3,每个基板单体3均包括基板1及预贴膜2。其中,切割设备包括切割刀具,切割刀具优选进行旋转切割。

  48.其中,本技术通过在一整个基板1上贴附预贴膜2,再对其整体进行切割,可以得到至少两个基板单体3,相比先切割基板1再贴附预贴膜2,本技术所采用的方式加工效率更高,且可以提高加工精度。

  49.需要说明的是,对贴附预贴膜2的基板1进行切割处理的过程中,由于uv胶层经过固化处理,uv胶层的延展性显著降低,从而在切割过程中,uv胶层处产生的胶丝显著减少,切割轨迹清晰,切割设备对切割轨道的识别较好。

  50.步骤s4中,对基板单体3的表面进行磁控溅镀,以形成金属溅镀层4。

  51.需要说明的是,本技术中,将基板单体3贴有uv胶层的一侧表面作为基板单体3的底部,并将其放置在平台上设置的基膜上,使得基板单体3高出基膜,从而基板单体3的侧壁完全暴露于溅镀腔体中,并对基板单体3的侧壁进行磁控溅镀,形成金属溅镀层4。

  52.步骤s5中,去除基板1单元周侧多余的金属溅镀层4,得到封装芯片5。

  53.具体而言,金属溅镀层4覆盖基板单体3除uv胶层的一面的其他各个表面,同时不可避免地还在基板单体3周围的基膜上形成了一部分。磁控溅镀结束后,通过相应的工装治具去除基板1单元周围多余的金属溅镀层4,只保留覆盖在基板单体3侧壁的部分,得到封装芯片5。

  54.本技术实施例中,通过设置uv胶层,将预贴膜2牢固贴附于基板1表面后,再通过固化处理,使得uv胶层发生固化,显著降低uv胶层的延展性,从而减少后续切割过程中产生的胶丝数量,降低胶丝对切割视野的影响,提高切割效率,保证切割效果,进而保证封装芯片5

  55.本技术实施例中,所述预贴膜2还包括保护层,所述保护层设于所述uv胶层背离所述基板1的一侧表面;

  56.所述方法还包括:在对所述基板1进行切割之前,将所述保护层从所述uv胶层上进行剥离。

  57.预贴膜2的一侧表面与基板1粘贴,由于预贴膜2的两侧表面均有粘性,因此在预贴膜2背离基板1的一侧表面设置有保护层。从而使得预贴膜2背离基板1的一侧不易粘附灰尘杂质,同时也不会与其他基板1进行粘接,便于对基板1及预贴膜2进行保护。

  58.当然,预贴膜2还可以包括uv胶层,以及设置在uv胶层两侧表面的保护层,这样,在进行粘贴时,只需要撕下uv胶层一侧表面的保护层,并将露出的uv胶层与基板1粘贴,从而提高预贴膜2贴附在基板1表面上的便捷性。

  59.保护层虽然可以便于将预贴膜2贴附在基板1表面上,但是在对贴附预贴膜2的基板1进行切割时,经过固化处理,uv胶层的延展性变差,但是保护层的延展性不受固化处理的影响,保护层的延展性仍然较好,因此由于保护层的存在,在切割过程中也会产生胶丝。而胶丝的存在会导致视野模糊,无法看清切割道,导致切割效率降低,切割效果较差。

  60.为了进一步提高切割效率,在对基板1进行切割之前,采用刮刀将保护层从uv胶层上进行剥离。由于uv胶层发生了固化,预贴膜2与基板1之间的形成了第二粘结度,第二粘结度小于第一粘结度。相应的,uv胶层与保护层之间粘结度也会大幅降低。因此,保护层与uv胶层之间便于进行分离。需要注意的是,在将保护层从固化后的uv胶层上剥离时,需要避免将uv胶层与基板1分离。

  62.pet薄膜是一种性能比较全面的包装薄膜。其透明性好,有光泽;具有良好的气密性和保香性;防潮性中等,在低温下透湿率下降。pet薄膜的机械性能优良,其强韧性是所有热塑性塑料中最好的,抗张强度和抗冲击强度比一般薄膜高得多;且挺力好,尺寸稳定,适于印刷、纸袋等二次加工。pet薄膜还具有优良的耐热、耐寒性和良好的耐化学药品性和耐油性。

  63.该薄膜除具有普通聚酯薄膜优良的物理机械性能外,还具有极好的光学性能,如透明度好、雾度低,光泽度高。

  64.本技术实施例中,在真空环境下,将所述预贴膜2贴附于所述基板1的一侧表面。

  65.在将预贴膜2贴附在基板1一侧表面的过程中,如果在大气压下进行贴附操作,预贴膜2与基板1之间容易产生气泡,导致预贴膜2与基板1之间的贴附效果差。而采用真空环境下贴膜,可以有效减少贴附操作中预贴膜2与基板1之间产生的气泡数量,从而提高预贴膜2与基板1之间的贴合平整度,从而有利于提高后续切割后得到的基板单体3中的预贴膜2与基板1的贴合效果。

  67.本技术中,uv胶层的厚度过小,也即当uv胶层的厚度小于100μm时,uv胶层与基板1之间的第一粘结度较低。此外,在后续磁控溅镀过程中,预贴膜2设置在基板单体3底部,并将其放置在基膜上。但是uv胶层的厚度过小,使得基板单体3无法高出基膜,从而基板单体3的侧壁无法完全暴露于溅镀腔体中,并基板单体3的侧壁全部进行溅镀,影响溅镀效果。

  68.而当uv胶层的厚度过大,也即当uv胶层的厚大大于150μm时,固化处理所需的时间过长,且所需的固化能量过高,会影响后续的切割效率,同时还会导致资源的浪费。此外,uv胶层的厚度过大,也会导致切割过程中产生的胶丝过多,影响切割效果。

  70.本技术中保护层用于对uv胶层进行保护,当保护层的厚度过小时,也即保护层的厚度小于25μm,保护层对uv胶层的支撑力较弱,同时保护层的强度较低。在将预贴膜2贴附在基板1的表面时,为了保证二者的紧密贴合,通常会采用机器进行加压或滚动,以排出预贴膜2与基板1之间的气泡。当保护层的厚度较小时,在步骤s1的贴膜过程中,保护层容易发生破损,影响预贴膜2整体的完整度。

  71.而当保护层的厚度过大时,也即保护层的厚度大于50μm,会导致预贴膜2整体的厚度过大,切割过程中的视野不清晰,影响切割效率。此外,在对保护层进行剥离时,工作量增加,同时产生资源的浪费。

  72.当保护层的厚度在25μm-50μm之间时,可以有效实现对uv胶层的保护作用。

  73.为了进一步提高切割效果,本技术实施例中,在所述对贴附所述预贴膜2的基板1进行切割处理的步骤中,采用冷却水对贴附所述预贴膜2的基板1进行降温,冷却水的温度小于15℃。

  74.切割刀具温度过高,切割刀具与预贴膜2之间的粘结程度会提高,从而导致切割效果降低,且会产生更多胶丝。采用冷却水对贴附有预贴膜2的基板1进行降温,可以有效降低切割过程中切割刀具的温度,从而降低切割过程中预贴膜2对切割刀具的阻力,从而提高切割效率。

  75.本技术实施例中,在所述对贴附所述预贴膜2的基板1进行切割处理的步骤中,采用金属刀对基板1及预贴膜2进行切割。

  76.需要说明的是,封装产品切割刀为圆环状刀片。切割刀的刀片是由结合剂和金刚石颗粒组成,金属刀是指刀片中的结合剂采用金属材料,其主要成分包含锡和铜。采用该材料加工而成的金属刀具有更好的切削力,可以提高切割强度,同时延长其使用寿命。

  77.此外,切割过程中,金属刀的转速越快,同时其行进速度越快,那么切割过程中产生的胶丝越少。本技术一种实施例中,金属刀的转速大于35000r/min,金属刀的行进速度大于60mm/s。

  79.本技术实施例中,所述封装芯片5包括基板单体3,以及设置于所述基板单体3表面的金属溅镀层4。

  80.经过溅镀的基板单体3,基板单体3除贴附有预贴膜2的一侧没有覆盖金属溅镀层4,其余表面均覆盖有金属溅镀层4。为了便于保存与运输,可以暂时保留预贴膜2。当然也可以直接去除预贴膜2,是否去除预贴膜2可以根据实际加工过程的需要进行确定。

  81.虽然已经通过例子对本技术的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本技术的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本技术的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本技术的范围由所附权利要求来限定。

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